지이코노미 강매화 기자 | 차세대 고대역폭메모리(HBM4)를 둘러싸고 삼성전자와 SK하이닉스가 생산능력 확대에 속도를 내고 있다. 2027년 본격 양산을 목표로 두 회사 모두 공격적인 행보를 보이면서 글로벌 메모리 시장의 판도 변화에 관심이 쏠린다.

삼성전자는 지연됐던 평택캠퍼스 4공장(P4) 마감공사를 다시 속도감 있게 추진하고 있다. 당초 2027년 7월로 잡혔던 공사 종료 시점을 같은 해 4월로 3개월 앞당겼다. 시공을 맡은 삼성물산·삼성E&A·삼성중공업이 최근 공시를 통해 이를 확정했다. 세계 최대 반도체 단지인 평택캠퍼스에서 P4는 총 4개 페이즈로 구성되며, 이 가운데 Ph3는 이미 완공됐다. 삼성은 당초 파운드리 전용을 검토했던 Ph4를 차세대 D램 중심 라인으로 전환해 HBM 생산에 투입할 계획이다.

이에 맞서 SK하이닉스는 EUV(극자외선) 노광장비 확대에 나선다. 현재 약 20대 수준인 EUV 장비를 2년 안에 40대로 늘려 차세대 D램 및 HBM 생산을 뒷받침한다는 전략이다. 대당 3000억~5000억원에 달하는 고가 장비 특성상 투자 규모는 최소 6조원 이상이 될 전망이다. 장비는 청주 M15X와 이천 M16 팹에 분산 배치되며, 올해 말 가동 예정인 M15X가 우선 투입 대상이 될 것으로 보인다.

업계는 삼성의 전체 D램 생산능력을 월 60만~65만장, SK하이닉스를 약 50만장 수준으로 추산한다. 그러나 시장 주도권은 단순 캐파보다 HBM 기술력과 안정적 공급망에 좌우된다는 분석이 많다. 실제 2분기 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 62%로 압도적 1위를 지켰으며, 삼성전자는 17%로 마이크론에 이어 3위에 머물렀다.

시장조사업체 트렌스포스는 “2024~2025년은 HBM4 초기 경쟁 구간으로, 기술 성숙도와 파트너십을 고려할 때 SK하이닉스가 내년에도 선두를 유지할 가능성이 크다”며 “2025년 HBM4 출하량은 SK하이닉스가 59%, 삼성전자와 마이크론이 각각 20% 안팎을 기록할 것”이라고 내다봤다.

결국 삼성은 생산라인 전환을 통한 ‘속도전’, 하이닉스는 장비 증설을 통한 ‘투자전’을 앞세우며 진검승부를 준비하고 있다. 차세대 HBM4 시장에서 양사의 맞대결이 글로벌 반도체 산업의 향후 5년을 좌우할 관전 포인트로 부상하고 있다.